綜觀資料中心內部傳輸架構可分為短距離（ ＜ 100公尺）與中長 距離（500公尺～2公里）兩大場景。其中，中長距主要依賴光收發模 組，而短距傳輸仍以銅纜為主。隨CPO快速發展，其在資料中心內的 應用前景備受期待，尤其CPO是否能取代銅纜成為短距傳輸的主導技 術，已成為市場討論熱點。

　　TrendForce在《Co-Packaged Optics技術在資料中心的發展路徑與 技術解析》報告中提到，CPO初期滲透方向可能集中於中長距的Fron tend網路傳輸場景，這是因為中長距已普遍使用光通訊，具備較高替 代性。從光收發模組全面過渡CPO仍需1～2年時間，初期CPO交換器成 本顯著高於光收發模組，需隨學習曲線的成熟來降低成本，才能逐步 進入市場。

　　短距傳輸也因銅纜成本低於CPO，因此光通訊要完全取代銅纜尚需 數年時間。而此觀點與NVIDIA執行長黃仁勳的近期表態相符。

　　若從CPO製程來看，晶圓廠負責光子積體電路（Photonic Integra ted Circuit, PIC）與電子積體電路（Electronic Integrated Cir cuit, EIC）的晶圓代工，並採用 Hybrid Bonding技術，進行3D封裝 以整合成光引擎（Optical Engine, OE）。這些OE隨後交付至光纖陣 列單元（Fiber Array Unit, FAU）組裝廠進行OE與FAU的高精度組裝 。

　　之後再被送至OSAT廠，將OE封裝到矽中介層上。接著台積電利用C oWoS技術將OE與交換器晶片通過2.5D封裝，再進行後續檢測。最終， 完成測試模組交付至系統廠組裝整機，形成完整的CPO交換器。

　　除設計、代工與測試外，首先關鍵就是FAU，FAU將MPO光纖跳線精 準對準到PIC上，從而實現光訊號高效耦合。而FAU製程存在多項挑戰 ，包含高精度對準、固定穩定性要求等。

　　其次光源選型方面，CPO普遍採用外部雷射，而就光源種類而言， 連續波雷射（Continuous Wave Laser, CW Laser）已成為主流。其 原因在於CW Laser相較於EML具備更高性價比，在供應鏈層面，台系 光源供應商，如聯亞和華星光，在外部雷射的技術與產品研發中具備 競爭力。

　　目前交換器晶片架構主要分為兩種類型：乙太網和NVIDIA主導的I nfiniband。在資料中心內部架構中，Frontend Network通常採用乙 太網技術，而 Backend Network則以Infiniband為主。從市場占有率 來看，乙太網交換器晶片市場由Broadcom和Marvell主導，Infiniba nd晶片市場完全由NVIDIA壟斷。

　　CPO商業化進程中，Broadcom處於領先地位，該公司2024年推出To mahawk 5 Bailly 51.2 Tbps CPO乙太網交換器，整合8個6.4Tbps的 OE，實現了單埠功耗低於5 pJ/bit的表現。但因技術成熟度與高成本 ，市場採用率仍待提升。

　　NVIDIA擬於2025年量產Quantum 3400 X800 CPO Infiniband交換器 ，該產品支持115.2 Tbps的總交換容量，內部整合36個3.2 Tbps的O E和四顆28.8T的交換器晶片。但預計短期內因成本挑戰，市場採用率 同樣有限。

　　目前CPO仍在發展初期，其具備資料中心內完全取代銅纜與光收發 模組的潛力，而其核心製程包括晶片代工、OE封裝及FAU技術的部分 ，也是台灣供應鏈具備優勢之處，未來隨CPO發展與商用，供應鏈表 現值得關注。